光电探测器怎么选? 这个问题常会给人带来困扰。 在之前的文章中,我们已经基于不同的工作原理和应用场景,介绍了几种 常见的光电探测器类型 ,但这只能帮助我们进行初步筛选。 光电探测器的参数能够直观反映其性能的好坏,并直接影响到检测精度。 因此,了解光电探测器的参数及其对应的实际应用非常重要。
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半导体是制造光电探测器最常用的材料,根据半导体材料的不同,探测器可探测紫外到红外光波段的信号光。 其中,硅 (Si) 基的光电探测器是最常见、也是工作波长分布最广的,可以探测可见到近红外波段(400-1100nm)的信号光。 铟镓砷 (InGaAs) 是近红外波段常见的材料,除此之外还有砷化镓 (GaAs) 等。 而在紫外波段(200-400nm),常用的光电材料则有氮化铝镓 (AlGaN) 和氮化镓 (GaN) 等。
带宽(Bandwidth)
通常,带宽越大,光电探测器对高速变化的信号的响应能力越强。 同时,带宽也受到其他因素的影响,比如探测器的结构和电路设计等。 因此,在选择光电探测器时,需要根据具体应用需求来平衡带宽和其他性能指标。
响应时间(Response time)
响应时间包含上升时间(τr)和下降时间(τf),它是衡量光电探测器响应速度的一个重要指标。 其中,上升时间定义为光信号在输入到光电探测器后,光电流从上升沿的10%上升到90%的时间。 下降时间则定义为光电流从下降沿的90%下降到10%的时间。 上升时间/下降时间越短,光电探测器的响应速度越快,从而可以快速捕捉到光信号的变化。
上升时间 (τr) 和带宽 (f3db) 均是反映探测器响应快慢的参数。 其中,上升时间是相对于时间测量的,而3dB带宽是相对于频率测量的。 对于许多基于光电二极管以及其他一阶、电和电光系统来说,二者的关系可以用如下公式表示:
响应度(Responsivity)
图4.探测器的响应度曲线
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量子效率(Quantum efficiency)
信噪比(SNR)
信噪比是指 有效信号与背景噪声的比值 ,单位为分贝 (dB) 。 光电探测器在生成光电流的同时,会产生一定的背景噪声,从而限制测量的精度。 其中,背景噪声大多来源于暗电流中载流子的随机热运动。 为了提高测量的信噪比,可采取滤波、提高光功率以及光学外差检测等方式。
噪声(Noise)
增益(Gain)
增益是指 单位时间内收集的载流子与吸收光子之比 ,是与探测器的灵敏度相关的参数。 一般来说,增益越大,探测器可探测弱信号的能力越强。 常见的探测器中,雪崩光电探测器和光电倍增管均具有增益能力,而光电二极管不具有增益能力。 雪崩光电探测器利用雪崩倍增效应可实现内部光电流的倍增,光电倍增管也可以通过连续倍增实现电子的放大,两者均适用于探测微弱信号。
跨阻增益 (Trans-impedance gain)
噪声等效功率(NEP)
噪声等效功率是指带宽为 1Hz 时,信号的输出功率与噪声相同时的入射光功率 ,单位为 W/Hz½ 。 NEP的值代表了光电探测器的灵敏度 , 也称作最小可探测功率,受探测器面积、响应带宽的影响 。
本文介绍了光电探测器的核心参数和基本参数,包括工作波长、带宽、响应时间、响应度、量子效率、信噪比、噪声等。 这些参数对于选择和使用合适的光电探测器具有重要意义。 通过了解和考虑这些参数,我们能够更加有效地设计和优化光电探测器应用系统,并提高系统的性能和可靠性。
参考文献:
[1] Wang, J., et al., Recent Progress on Localized Field Enhanced Two-dimensional Material Photodetectors from Ultraviole t-Visible to Infrared. Small (Weinheim an der Bergstrasse, Germany), 2017. 13.
[2] 雷挺,吕伟明,吕文星,等.光栅局域调控二维光电探测器[J].物理学报,2021,70(02):263-273.