LBTEK提供的单光子探测器是基于Si-APD的超灵敏光电探测器。探测波段覆盖400-1100 nm,工作在盖革模式。在此模式下,APD两端的反向偏压超过雪崩电压,单个光子水平的入射光信号就有可能触发APD发生自持性雪崩,产生宏观可探测的雪崩电流脉冲,实现对单光子的有效探测。单光子探测器特有的高性能主动抑制电路,可以实现连续的单光子探测,并且可加载任意宽度和周期的探测门。单光子计数信号转化为数字TTL信号,并通过SMA接口传输,其高度集成化的模块设计便于OEM应用和工业集成。
实验中,通常选用以下几个指标来衡量单光子探测器的工作性能:
1. 光谱响应范围
由于吸收层材料能带带隙的限制,单光子探测器只能对一定光谱范围内的入射光信号作出响应,其光谱响应范围即其能进行有效探测的范围决定了其特定的应用领域。
2. 探测效率
单光子探测器的探测效率 \( \eta \) 是指入射的光子被探测器成功探测到的概率,定义如下:
\( \eta =\frac{R_{detected}}{R_{incident}} \)
\( R_{detected} \) 是指单位时间内探测器探测到的光子数即实际计数值, \( R_{incident} \) 是指单位时间内入射的光子数,两者之比即为探测效率。从结构上来说,探测器的整体探测效率为探测器内在量子效率与耦合效率的乘积,一般情况下,对于使用者而言,我们关注的重点不在于器件固有的内在量子效率,而是在于探测器最终表现出来的整体探测效率。理论上讲,探测效率值越大越好,但实际使用中,要充分考虑噪声的影响,最佳信噪比往往是决定探测器实际探测效果的重要因素。不同的应用领域,对于探测器的探测效率也有不同的要求,比如线性光量子计算,对于探测效率的要求极高,要求探测器的探测效率接近 100%。
3. 暗计数率
理想来说,当没有光子入射时,单光子探测器应没有输出信号,但实际情况并不如此,即使没有光子入射,绝大多数的探测器还是存在一定的误发信号,这就是所谓的暗计数率,也被称为暗噪声或暗电流。这主要与探测器的敏感材料,偏置电路以及外部噪声有关。一般情况下,暗计数率用 Hz 表示,或是表达为个/秒,有些情况下,也可表达为个/探测门。根据暗计数率的影响因素,将探测器设置在门控模式或是设置淬灭时间,可有效减小暗计数率。而门脉冲的最小宽度或淬灭时间间隔又由探测器的时间抖动所决定。
4. 时间抖动
时间抖动也被称为时间分辨率,是指光子吸收和探测器输出电信号之间的间隔时间的不确定性范围。对同一时间入射的光子进行多次测量,通过探测器输出电信号在时间轴上的统计分布的半高宽来具体衡量时间抖动。对于探测器而言,时间抖动越小,意味着该探测器的时间分辨能力和精确度越好,特别是对于飞行时间式激光测距与成像系统,时间抖动是决定其精确度的重要因素。
5. 死时间
当单光子探测器探测到一个光子时,它不能立即对下一个到来的光子做出响应,而是需要间隔一定的时间,这个时间叫做死时间,也称为单光子探测器的恢复时间。死时间与探测器内部敏感材料有关,但更多情况下,实际测量出来的死时间很大程度上受到探测器的偏置电路,计数电路的影响,而非敏感材料本身。半导体单光子探测器实际应用中,死时间往往会被刻意地适当延长来抑制后脉冲(后脉冲是由于俘获的载流子再次释放产生不对应光子信号的随机信号)。死时间的长短会限制单光子探测器的最大计数率,但不影响其工作频率。对于一些计数率要求很高的场合,需要设计合理的探测电路来确保较低的死时间。
6. 后脉冲概率
后脉冲是由于俘获的载流子再次释放产生不对应光子信号的随机信号,脉冲光信号输入单光子探测器,除去探测器暗噪声的影响,理论上只有当光脉冲到达探测器时,探测器才会响应输出电脉冲,实际上在没有光信号的时间段,探测器也会输出电信号,这个现象就是后脉冲。后脉冲概率是在脉冲光信号没有到达探测器的时间内,探测器输出信号的计数和整个周期内探测器输出信号的总计数的比值。
7. 饱和计数率
随着单光子探测器的输入光信号的功率不断增加,探测器输出信号的计数也不断变大,但是当输入信号的功率达到一定值之后,再提高输入光信号,探测器的输出计数则会下降。探测器每秒输出的最大计数就称为饱和计数率,即单光子探测器输出计数的动态范围。
表1 单光子探测器后面板接口
| 编号 | 说明 |
| 1 | 光子计数信号输出(OUTPUT):SMA 接口;LVTTL 电平;50 Ω/高阻均可。 |
| 2 | +12VDC:+12V/2A 电源输入。 |
| 3 | 门控信号输入(GATE):50 Ω阻抗;SMA 接口;LVTTL 电平;GATE 信号低电平有效;脉冲宽度连续可调。 |
1. 可见光单光子探测器前面板为光信号输入,通过空间耦合入射到 Si-APD 的探测靶面上;
2. 单光子探测器后面板接入+12V/2 A 的电源适配器,通电即开机。开机之前,请务必确认可见光单光子探测器处于暗室环境,且入射到探测器 靶面上的平均光功率不超过 1E-2 nW;
3. 单光子探测器后面板上的信号输出和门控输入端口均为 SMA 接口,LVTTL 电平标准。
1. 不正确的电压可能损坏模块,应保证接入电源不高于12.5 V,并可提供足够电流。
2. 工作环境温度需控制在-15~50℃,环境温度过高会导致APD温度上升,暗计数率显著增加。
3. 避免频繁启停电源,每次关机后需间隔5分钟以上再开机,防止瞬时电流冲击。
4. 电气安全:设备接地需可靠连接,避免接地不良导致静电积累损坏器件;禁止在通电状态下拆卸设备外壳,内部高压部件(如偏压电路)可能造成触电风险。
5. 光学安全:若入射光源为激光源,需确认激光安全等级并佩戴对应的防护眼镜;禁止将探测器直接对准太阳或者高功率光源,强光可能烧毁APD光敏层。当需要更换光学组件时,务必先断开电源并遮挡APD光敏面,防止操作过程中强光入射。
6.机械操作安全:安装时避免用力挤压或碰撞探测器,尤其是光敏面窗口;光纤接口插拔需轻柔,防止损坏陶瓷插芯或接口座。
7.维护安全:设备清洁需使用无尘布蘸无水乙醇轻轻擦拭,禁止使用腐蚀性清洁剂;故障维修需由专业人员进行,禁止非专业人员擅自拆解内部电路。

LBTEK单光子探测器工作波长为400-1100nm,在650-1100nm波段镀增透膜。有自由空间输入和光纤输入两种类型可选,适配不同的应用场景。三种暗计数规格可选(<25cps、<100cps、<500cps),适合弱光和单光子探测应用。高的光强可能损坏APD,这种损害可能降低APD的探测灵敏度,严重时甚至会造成二极管击穿。模块工作温度应保持在-20~50℃范围内,温度过高会导致加剧热激发载流子,导致暗计数上升。

探测效率-波长对应图
| 产品型号 | 光谱响应范围 | 增透膜 | 暗计数 | 输入方式 | 单价 | 对比 | 发货日期 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SPDM25B 新品 | 400-1100 nm | 650-1100 nm | <25 cps | 自由空间 | ¥65000 | 5周 |
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SPDM100B 新品 | 400-1100 nm | 650-1100 nm | <100 cps | 自由空间 | ¥38000 | 5周 |
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SPDM25B-PC 新品 | 400-1100 nm | 650-1100 nm | <25 cps | FC/PC光纤接口 | ¥65000 | 5周 |
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SPDM500B 新品 | 400-1100 nm | 650-1100 nm | <500 cps | 自由空间 | ¥23000 | 5周 |
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SPDM100B-PC 新品 | 400-1100 nm | 650-1100 nm | <100 cps | FC/PC光纤接口 | ¥38000 | 5周 |
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SPDM500B-PC 新品 | 400-1100 nm | 650-1100 nm | <500 cps | FC/PC光纤接口 | ¥23000 | 当天 |
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LBTEK单光子探测器在700 nm波段的探测效率超过55%,暗计数<500 cps,死时间小于50 ns ,为光纤输入款。在特殊的应用场景下,应保证模块的工作温度不超过50 °C,过高的温度可能导致APD工作温度上升,从而引起暗计数水平升高。APD属于高灵敏光电探测器件,在雪崩状态下应控制输入光信号强度,过高的光强可能损坏APD,这种损害可能降低APD的探测灵敏度,严重时甚至会造成二极管击穿。

| 产品型号 |
光谱响应范围
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增透膜
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暗计数
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输入方式
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单价 | 对比 | 发货日期 | |||
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SPD300A-APC | 400 nm-1100 nm | 400 nm-700 nm | <500 cps | FC/APC光纤接口 | ¥19070 | 当天 |
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SPD300A-PC | 400 nm-1100 nm | 400 nm-700 nm | <500 cps | FC/PC光纤接口 | ¥19070 | 当天 |
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SPD300B-PC | 400 nm-1100 nm | 700 nm-1100 nm | <500 cps | FC/PC光纤接口 | ¥19070 | 当天 |
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| 产品型号 | 波长 | 当前波长(nm) | 当前透射率(%) |
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